產(chǎn)品別名 |
地坪拋光液 |
面向地區(qū) |
全國 |
CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機械拋光（CMP）機理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程：拋光使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。
拋光劑使用注意事項：使用前將拋光織物用清水濕透，避免摩擦發(fā)熱；啟動拋光盤后將拋光劑輕搖后倒置噴出；噴灑拋光劑時，應(yīng)以拋光盤中心為圓心沿半徑方向噴出，3-5秒即可。新織物噴灑時間應(yīng)相應(yīng)延長，以使織物有更好的磨拋能力；拋光過程中不斷加入適量的清水即可。
———— 認(rèn)證資質(zhì) ————
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