燒結銀AS9376用于激光雷達光學模組集成
?技術挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學元件無損互連，避免傳統(tǒng)焊接導致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級漿料：粒徑20-50 nm銀粉實現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結合，避免高溫對光學元件的損傷。
假設?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。
燒結銀AS9376實施建議與驗證方法
?燒結曲線設計：
推薦兩段式工藝：150℃預燒結（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。
若需進一步探討燒結銀AS9376在特定HPC應用（如量子計算芯片互連）中的定制化方案，或需要具體測試數(shù)據(jù)支持，請?zhí)峁└嗉夹g細節(jié)或合作需求。
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