產(chǎn)品型號 | C2012X5R1A336M12C | |
電容 | 33uf | |
容差 | ±20% | |
電壓 - 額定 | 10v | |
溫度系數(shù) | X5R | |
工作溫度 | -55°C ~ 85°C | |
特性 | 低 ESL 型 | |
產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 | |
應用 | 通用 | |
系列 | C | |
安裝類型 | 表面貼裝,MLCC | |
封裝/外殼 | 0805(2012 公制) | |
大小 / 尺寸 | 0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) | |
高度 - 安裝(大值) | - | |
厚度(大值) | 0.057"(1.45mm) |
所謂電容,就是容納和釋放電荷的電子元器件。電容的基本工作原理就是充電放電,當然還有整流、振蕩以及其它的作用。另外電容的結(jié)構(gòu)非常簡單,主要由兩塊正負電極和夾在中間的絕緣介質(zhì)組成,所以電容類型主要是由電極和絕緣介質(zhì)決定的。
電容器與電阻、電感并稱為三大被動元件,其年產(chǎn)量在世界范圍內(nèi)已達約2萬億個 。電容器中使用廣泛的是陶瓷電容器。今天一起來了解一下陶瓷電容器吧。
目前,世界上生產(chǎn)的電容器約有80%是貼片型陶瓷電容器。它在手機上的用量約為300~400個,在智能手機上約為400~500個,在筆記本電腦和平板電腦上約為700~800個,為電子設(shè)備的小型化和輕量化做出了的貢獻。
陶瓷電容的種類
1、按耐壓區(qū)分:高壓瓷介電容器(1KVDC以上)、低壓瓷介電容器(500VDC以下)。
2、按結(jié)構(gòu)形式:圓片狀電容器、管狀電容器、矩形電容器、片狀電容器、穿心電容器等
陶瓷電容器的特性
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C1608X5R1A106K080AC 10μF ±10% 10 X5R
C1608X5R1A156M080A 15μF ±20% 10 X5R
C1608X5R1E224K080AA 220nF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E225K080AB 2.2μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E225K080AE 2.2μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E474K080AC 470nF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E475K080AC 4.7μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1H102K080AA 1nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H103K080AA 10nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H104K080AA 100nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H105K080AB 1μF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H222K080AA 2.2nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H223K080AA 22nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H224K080AB 220nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H472K080AA 4.7nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H473K080AA 47nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H474K080AB 470nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1V225K080AC 2.2μF ±10% 35 X5R
C1608X5R1V225K080AE 2.2μF ±10% 35 X5R
C1608X5R1V475K080AC 4.7μF ±10% 35 X5R
C1608X7R1A225K080AC 2.2μF ±10% 10 X7R
C1608X7R1A225K080AE 2.2μF ±10% 10 X7R
C1608X7R1C105K080AC 1μF ±10% 16 X7R
C1608X7R1C224K080AC 220nF ±10% 16 X7R
C1608X7R1C474K080AC 470nF ±10% 16 X7R
C1608X7R1E105K080AB 1μF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E105K080AE 1μF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E224K080AC 220nF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E474K080AB 470nF ±10% 25 X7R
C1608X7R1H103K080AA 10nF ±10% 50 X7R
C2012X8R1E105K12E 1μF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E154K08A 150nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E154K08E 150nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E224K12A 220nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E224K12E 220nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E334K12A 330nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E334K12E 330nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E474K12B 470nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E474K12E 470nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E684K12C 680nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E684K12E 680nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1H104K12A 100nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H104K12E 100nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H154K12B 150nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H154K12E 150nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H224K12B 220nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H224K12E 220nF ±10% 50 X8R
C2012X8R2A223K12A 22nF ±10% 100 X8R
C2012X8R2A223K12E 22nF ±10% 100 X8R
C3216X5R1A107M160AC 100μF ±20% 10 X5R
C3216X7T2E224K160AA 220nF ±10% 250 X7T
C3216X8L1C106K160AC 10μF ±10% 16 X8L
C3216X8L1C685K160AC 6.8μF ±10% 16 X8L
C3216X8L1E106K160AC 10μF ±10% 25 X8L
C3216X8L1E106K160AE 10μF ±10% 25 X8L
C3216X8L1H155K160AC 1.5μF ±10% 50 X8L
C3216X8L1H225K160AC 2.2μF ±10% 50 X8L
C3216X8L1H335K160AC 3.3μF ±10% 50 X8L
C3216X8R1C335K160AB 3.3μF ±10% 16 X8R
C3216X8R1C335K160AE 3.3μF ±10% 16 X8R
C3216X8R1C475K160AB 4.7μF ±10% 16 X8R
C3216X8R1C475K160AE 4.7μF ±10% 16 X8R
C3216X8R1E105K160AA 1μF ±10% 25 X8R
C3216X8R1E105K160AE 1μF ±10% 25 X8R
C3225X5R1A336M200AC 33μF ±20% 10 X5R
C3225X5R1A476M250AC 47μF ±20% 10 X5R
C3225X5R1C226M250AA 22μF ±20% 16 X5R
C3225X5R1E106K250AA 10μF ±10% 25 X5R
C3225X5R1H106K250AB 10μF ±10% 50 X5R
C3225X6S1A107M250AC 100μF ±20% 10 X6S
C3225X7R1C156M250AB 15μF ±20% 16 X7R
C3225X7R1C226M250AC 22μF ±20% 16 X7R
C3225X7R1E106K250AC 10μF ±10% 25 X7R
C3225X7R1E226M250AB 22μF ±20% 25 X7R
C3225X7R1H106K250AC 10μF ±10% 50 X7R
C3225X7R1H225K200AB 2.2μF ±10% 50 X7R
C3225X7R1H225K200AE 2.2μF ±10% 50 X7R
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