晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管基本的和重要的特性。

電子三極管 Triode （俗稱 電子管的一種）
雙極型 晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型 場效應(yīng)管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱
V型槽場效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 、V型槽溝道場效應(yīng)管 是 單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和 雙極（Bipolar）是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為 單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型場效應(yīng)管是非絕緣型 場效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應(yīng)管。

VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)（跨道）新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進(jìn)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管。

晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，

從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。

發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴，其移動(dòng)方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子，其移動(dòng)方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。

工作狀態(tài)
截止?fàn)顟B(tài)
當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時(shí)失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，我們稱三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。
放大狀態(tài)
當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí)，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)β=ΔIc/ΔIb，這時(shí)三極管處放大狀態(tài)。
特性
1、通態(tài)特性：大注入下基區(qū)和集電區(qū)發(fā)生調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降很低
2、開關(guān)特性：關(guān)斷過程中的電流集中現(xiàn)象：由于基區(qū)存在自偏壓效應(yīng)，在晶體管關(guān)斷過程中使發(fā)射極邊緣部分反偏，邊緣關(guān)斷而中心仍導(dǎo)通，于是出現(xiàn)電流集中現(xiàn)象
3、二次擊穿特性，和所有繼電器一樣。值得說明的是當(dāng)次雪崩擊穿后，加在BJT上的能力超過臨界值才產(chǎn)生二次擊穿，也就是說二次擊穿需要能量。