DET to GND -0.3~500 1 V -- 2 CSA to GND -0.3~5 V - 3 CSB to GND -0.3~5 V -- 4 GATE to GND -0.3~7 V - VI to GND 7 -0.3~500 V - 8 DRA to GND -0.3~500 V -

芯片內(nèi)MOS ID大峰值電流 IDMAX 120 mA - 熱阻（結(jié)溫-環(huán)境） 75 OJA --- CW 大工作溫度范圍 -40~160 Tj --- ℃ 人體模型 ESD_ HBM ±2000 V - 機(jī)器模型 ESD_ MM ±200 V -

電氣參數(shù) （無特別說明外，Ta=25℃） 小值 大值 符號 參數(shù) 測試條件 典型值 單位 芯片供電部分 電流調(diào)控所需低電壓 Vdrn min 8 V Tj=100°℃, lout=60mA 電流采樣 電流調(diào)控時CS電壓 Vcs 1mA<=lout<=60mA 485 500 515 mV

（續(xù)） 電氣參數(shù) （無特別說明外，Ta=25℃） 測試條件 符號 參數(shù) 小值 典型值 大值 單位 DET補(bǔ)償設(shè)定端 VDIMA 補(bǔ)償范圍 lout=lout normal 0.8 1.6 V 補(bǔ)償初始閥值 VDIML 0.8 llout=loutmax V VDIMH 補(bǔ)償關(guān)閉閥值 lout=0 1.6 V 補(bǔ)償調(diào)節(jié)率 PCR -13.3 mV/mA DIM下拉電阻 RDIM 320 KQ 驅(qū)動部份 GATE源出電流 50 UA IGATE_SRC IGATE_SNK GATE下來電流 50 UA 過溫補(bǔ)償 L版 110 ℃ Torc 溫度補(bǔ)償閾值 M版 130 °℃ L版 -100 %/40℃ 溫度補(bǔ)償斜率 RFT M版 -100 %/20℃
率LED是節(jié)能產(chǎn)品，驅(qū)動電源的效率要高。對于電源安裝在燈具內(nèi)的結(jié)構(gòu)，尤為重要。因?yàn)長ED的發(fā)光效率隨著LED溫度的升高而下降，所以LED的散熱非常重要。電源的，它的耗損功率小，在燈具內(nèi)發(fā)熱量就小，也就降低了燈具的溫升。對延緩LED的光衰有利。
高功率因數(shù)功率因數(shù)是電網(wǎng)對負(fù)載的要求。一般70瓦以下的用電器，沒有強(qiáng)制性指標(biāo)。雖然功率不大的單個用電器功率因素低一點(diǎn)對電網(wǎng)的影響不大，但晚上大家點(diǎn)燈，同類負(fù)載太集中，會對電網(wǎng)產(chǎn)生較嚴(yán)重的污染。對于30瓦~40瓦的LED驅(qū)動電源，據(jù)說不久的將來，也許會對功率因數(shù)方面有一定的指標(biāo)要求。