全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場潛力，國際能源署預(yù)計(jì)到2050年全球?qū)⒂薪?000萬噸，約43億塊報(bào)廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場價(jià)值；中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測到2030年中國也將面臨回收150萬噸報(bào)廢組件，2050年將達(dá)到2000萬噸，隨著近年來的大規(guī)模既有項(xiàng)目的技改，中國光伏回收高峰將提前到來。

電阻率與均勻度 　拉制單晶時(shí)摻入一定雜質(zhì)以控制單晶的電阻率。由于雜質(zhì)分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區(qū)電阻率均勻度。它直接影響器件參數(shù)的一致性和成品率。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱為無位錯(cuò)單晶，無位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。